Síntesis y caracterización de BaTiO3 dopado con Nb5+ mediante el mecanismo BaTi1-5xNb4xO3
Se investigó el efecto del dopaje de Nb5+ en el sitio B de la estructura tipo perovskita del BaTiO3, mediante el mecanismo BaTi1-5xNb4xO3; con x=0.5, 4.0, 8.0, 20 y 25% Nb5+. Los polvos se prepararon mediante la ruta en estado sólido, moliéndose en recipientes de PET con bola de alúmina durante 3 horas. Éstos polvos se recuperaron mediante filtrado, y se decarbonataron a 1000 °C durante 5 horas. Posteriormente se sintetizaron a diferentes temperaturas hasta 1500°C. Los polvos sinterizados a la máxima temperatura se compactaron uniaxialmente en frío, hasta obtener pellets de aproximadamente 10 mm de diámetro; los cuales se volvieron a sinterizar a 1500°C durante 5 horas en aire; caracterizándose por microscopia electrónica de barrido (MEB), difracción de rayos X (DRX) y mediciones eléctricas. El principal objetivo es calcular sus valores de permitividad para su posible aplicación en capacitores.
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Digital revista |
| Language: | Spanish / Castilian |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2010
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| Online Access: | http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212010000300003 |
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| Summary: | Se investigó el efecto del dopaje de Nb5+ en el sitio B de la estructura tipo perovskita del BaTiO3, mediante el mecanismo BaTi1-5xNb4xO3; con x=0.5, 4.0, 8.0, 20 y 25% Nb5+. Los polvos se prepararon mediante la ruta en estado sólido, moliéndose en recipientes de PET con bola de alúmina durante 3 horas. Éstos polvos se recuperaron mediante filtrado, y se decarbonataron a 1000 °C durante 5 horas. Posteriormente se sintetizaron a diferentes temperaturas hasta 1500°C. Los polvos sinterizados a la máxima temperatura se compactaron uniaxialmente en frío, hasta obtener pellets de aproximadamente 10 mm de diámetro; los cuales se volvieron a sinterizar a 1500°C durante 5 horas en aire; caracterizándose por microscopia electrónica de barrido (MEB), difracción de rayos X (DRX) y mediciones eléctricas. El principal objetivo es calcular sus valores de permitividad para su posible aplicación en capacitores. |
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