Defectos en estructuras de índice de refracción periódico con gap omnidireccional
Se hace un estudio de los modos de tunelamiento generados por la introducción de una impureza en un cristal fotónico unidimensional, que se construye a partir de alternar capas de dieléctrico y metamaterial. En este trabajo la impureza se genera al cambiar el índice de refracción o el ancho del dieléctrico de la capa central del cristal fotónico. Se observa que los modos de tunelamiento que se encuentran dentro de los gaps, presentan un comportamiento omnidireccional cuando se cumple la condición n1d1 +n2d2 =0. Esta condición hace que los modos de tunelamiento presenten insensibilidad ante el tipo de polarización, ángulo de incidencia, y escalamiento de la celda unitaria. Ante la variación del índice de refracción de la impureza no se generan modos de tunelamiento en ninguno de los gaps. Sin embargo cuando se hace variar el espesor de la impureza se producen cambios en los modos de tunelamiento en ambos gaps.
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Digital revista |
| Language: | Spanish / Castilian |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2012
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| Online Access: | http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212012000400004 |
| Tags: |
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