Estudio y modelado de la interfase Si-SiO2, usando estructuras MOS

A partir de la teoría de los procesos de generación y recombinación de Shockley-Read-Hall se presenta un modelo de la generación de portadores minoritarios en la interfase silicio-dióxido de silicio (Si-SiO2) de estructuras metal-óxido-semiconductor (MOS). Se obtuvieron las curvas experimentales de generación de las estructuras MOS con óxidos depositados por el método de depósito químico en fase de vapor a presión atmosférica (APCVD). Se muestra que estas curvas pueden presentar un incremento no lineal en la razón de generación, donde este incremento depende de las condiciones iniciales de polarización y cuya naturaleza se debe a la componente de generación superficial. Partiendo del modelo propuesto y de las curvas experimentales de generación, se calcularon los parámetros que caracterizan las trampas en la interfase, como lo son, la densidad de trampas, el coeficiente de emisión y la energía de activación.

Bibliographic Details

Main Authors:	Pacio,M., Juárez,H., Díaz,T., Garcia,G., Rosendo,E., Mora,F., Escalante,G., Rodriguez,M.
Format:	Digital revista
Language:	Spanish / Castilian
Published:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2009
Online Access:	http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212009000400003
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