Análisis DFT de las propiedades electrónicas de las hojas de grafeno y de nitruro de boro dopadas

Se investigan las propiedades electrónicas de la hoja de grafeno y hoja de nitruro de boro tipo coroneno (C24H12) dopadas con un hexágono central de nitrógeno y carbono respectivamente, esto se hace usando la Teoría del Funcional de la Densidad (DFT) en la parametrización para el término de intercambio-correlación B3PW91 y base atómica de valencia dividida 6-31G(d). Para la estabilidad estructural se sigue el criterio de obtener frecuencias de vibración positivas. Además se reportan los parámetros de reactividad (potencial químico, dureza química e índice electrofílico), y densidad de estados electrónicos (DOS). Los resultados nos indican que la hoja de grafeno es semiconductor tanto antes como después de doparla, pero la de nitruro de boro pasa de aislante a semiconductor. Además según los parámetros de reactividad química dichos sistemas dopados favorecen más el proceso de fisisorción.

Bibliographic Details

Main Author:	Chigo Anota,Ernesto
Format:	Digital revista
Language:	Spanish / Castilian
Published:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2009
Online Access:	http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212009000100005
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