Fuerza de Casimir 1D en semiconductores excitónicos
Se presentan cálculos de la fuerza de Casimir unidimensional entre placas paralelas semiconductoras excitónicas no locales homogéneas y no homogéneas. Los efectos no locales se generan por las transiciones excitónicas An=1 y Bn=1 en CdS. La fuerza se calcula, en el caso homogéneo, como una función de los espesores de las placas d1 = d2 = d y del ancho de la región de vacío L entre ellas. Asimismo, para el caso inhomogéneo se consideran placas construidas por superredes semiinfinitas con celda unitaria semiconductor-aislante, siendo la fuerza función del periodo de superred d = dS + dA y del ancho de separación L.. La fuerza de Casimir en el caso no local siempre es más grande para el excitón An=1, lo cual corresponde a la transición excitónica de menor energía.
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Digital revista |
| Language: | Spanish / Castilian |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2006
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| Online Access: | http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212006000200002 |
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