Microestructura y propiedades eléctricas de bismuto y óxido de bismuto depositados por magnetrón sputtering UBM

En este trabajo, se fabricaron películas delgadas de Bismuto (Bi) y (Oxido de Bismuto (Bi2O3) a temperatura ambiente mediante la técnica de Sputtering con Magnetron Desbalanceado (UBM - UnBalance Magnetron) sobre sustratos de vidrio. Las propiedades microestructurales y eléctricas de las muestras fueron estudiadas mediante difracción de rayos X (XRD) y el método para Medición de Propiedades Físicas - PPMS (Physical Property Measurement System), respectivamente. La resistividad a oscuras del material fue medida para un rango de temperaturas entre 100 y 400 K. A partir de las medidas de XRD se observe) el carácter policristalino del Bi asociado a la presencia de fases por encima del pico principal, 2θ=26.42° y un crecimiento gobernado por una estructura Romboédrica. Los parámetros cristalinos fueron obtenidos para ambos compuestos de Bi y Bi2O3. A partir de los análisis de los espectros de la conductividad en función de la temperatura se estableció que el mecanismo de transporte que gobierna la región de altas temperaturas (T>300 K) es el de portadores térmicamente activados. A partir de las medidas de conductividad se encontró que las energías de activación para el Bi2O3 y Bi fueron de 0.0094 y 0.015 eV, respectivamente.

Bibliographic Details

Main Authors:	Otálora B.,D.M., Olaya Flórez,J.J., Dussan,A.
Format:	Digital revista
Language:	Spanish / Castilian
Published:	Sociedad Mexicana de Física 2015
Online Access:	http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2015000200005
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