Estudio de la dinámica de los sistemas memristivos : efecto del ruido y la temperatura en el fenómeno de la conmutación resistiva
El objetivo de esta Tesis es el de estudiar el efecto del ruido eléctricoy la temperatura en sistemas memristivos. Este tipo de sistemaspresenta el fenómeno conocido como conmutación resistiva (CR), enel cual se basan las memorias electrónicas ReRAM. Básicamente, la CR se caracteriza por el cambio abrupto de la resistencia eléctrica delmaterial ante la presencia de un campo eléctrico externo. Se comienzapor estudiar la influencia del ruido, tanto interno como externo,con un modelo memristivo sencillo. Según este modelo, solo el ruidointerno produce un efecto beneficioso, esto es, aumenta el contrasteresistivo. Luego, se presentan resultados de experimentos en unamuestra del tipo manganita donde el ruido externo aumenta el contrasteresistivo. Utilizando otro modelo que se encuentra en la literatura,se reproducen cualitativamente los resultados observados. Apartir de este estudio, se encuentran las características generales queun modelo de la dinámica de la CR debe cumplir para que el ruidoagregado externamente mejore el contraste resistivo tal como resultaen los experimentos. A continuación, se estudia el efecto combinado del ruido y la temperaturasobre la dinámica de la manganita. Se realizan experimentosa distintas temperaturas encontrando que el ruido aumenta el contrasteen todo el rango considerado. Se logran reproducir los resultadosexperimentales, combinando un modelo que describe la CR con unoque da cuenta del cambio resistivo con la temperatura. Se estudian,también, tiempos de relajación luego de excitar la muestra. Asociandodicha relajación a la difusión de vacancias de oxígeno, se estimanel coeficiente de difusión y la energía de activación, obteniéndose valoresconsistentes a los encontrados en la literatura. Finalmente, en esta Tesis se demuestra que el ruido produce unefecto beneficioso en el fenómeno de la CR. Este resultado puedeser relevante en el área de los sistemas de almacenamiento y procesamientode información, donde los altísimos niveles de integraciónelectrónica hacen que la presencia del ruido no pueda ser soslayada.
| Main Author: | |
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| Format: | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis biblioteca |
| Language: | spa |
| Published: |
Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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| Subjects: | CONMUTACION RESISTIVA, MEMRISTOR, RUIDO, TEMPERATURA, RESISTIVE SWITCHING, NOISE, TEMPERATURE, |
| Online Access: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n5625_Patterson http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n5625_Patterson_oai |
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