Inducao de estruturas de infeccao de Hemileia vastatrix sobre substratos artificiais :

Urediniosporos de H. vastatrix foram tratados com vapores d'água, B-ionona e 1-nonanol, por 15'. Após este período, foram postos a germinar no escuro a 24 grade centigrado sobre agua, membranas de poliestireno e membranas de colodio com e sem oleo de parafina. Foram observadas as taxas de germinacao e formacao de apressorio. No tratamento com vapor d'agua observou-se um valor máximo de 24,5 de germinacao enquanto que com B-ionona observou-se 82,5 por cento e com l-nonanol 39,5 por cento. Em todos os tratamentos a germinacao sempre foi maior sobre as membranas do que sobre água. Para a formacao de apressorio obteve-se uma taxa máxima de 62,5 por cento no tratamento com l-nonanol, no tratamento con vapor d'agua obteve-se um máximo de 28 por cento, enquanto que com Bionona obteve-se 33,5 por cento como valor máximo de formacao de apressorio. Em todos os tratamentos a formacao de apressorio foi sempre maior sobre membranas de colódio com óleo. Membranas de colódio s/óleo e poliestireno nao diferiram significativamente entre sí para este fator, sendo a germinacao sobre água a menos eficiente para a inducao de apressorios

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Bibliographic Details
Main Authors: 59177 Correa Junior, A., 96068 Moraes, W.B.C.
Format: biblioteca
Language:eng
Published: Jul
Subjects:COFFEA ARABICA, HEMILEIA VASTATRIX, ENFERMEDADES FUNGOSAS, ESPORULACION,
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