Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMS
Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótropo de hasta 4 µm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado isótropo de hasta 13 µm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos.
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Sociedad Mexicana de Física
2007
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oai:scielo:S0035-001X20070006000102010-05-24Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMSÁlvarez-Macías,C.Reyes-Betanzo,C. Silicio monocristalino MEMS grabado seco Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótropo de hasta 4 µm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado isótropo de hasta 13 µm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos.info:eu-repo/semantics/openAccessSociedad Mexicana de FísicaRevista mexicana de física v.53 n.6 20072007-12-01info:eu-repo/semantics/articletext/htmlhttp://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2007000600010es |
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Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótropo de hasta 4 µm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado isótropo de hasta 13 µm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos. |
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