Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMS
Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótropo de hasta 4 µm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado isótropo de hasta 13 µm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos.
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Digital revista |
| Language: | Spanish / Castilian |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Física
2007
|
| Online Access: | http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2007000600010 |
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| Summary: | Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicación en la fabricación de sistemas microelectro-mecánicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analizó la contribución de las componentes física y química sobre la velocidad y perfil de grabado respecto a la variación de la presión, bombardeo iónico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la región de plasma denso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, dióxido de silicio y aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anisótropo de hasta 4 µm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado isótropo de hasta 13 µm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje de autopolarización es el más alto, y el material enmascarante presentó un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos. |
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