Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I2 como portador gaseoso

Se estudió la presencia de dislocaciones en ZnSe monocristalino obtenido por transporte químico utilizando I2 como portador gaseoso. Para ello se utilizó microscopía electrónica de transmisión que evidenció, en el rango micrométrico y nanométrico, ausencia de defectos, por lo que fue necesario estudiar áreas mayores del material mediante revelado químico. La densidad de dislocaciones y la desorientación entre subgranos contiguos en obleas de ZnSe fueron determinadas mediante el uso de distintos reactivos que permiten la obtención de figuras de corrosión. Se presentan y comparan los resultados micrográficos obtenidos con las diferentes soluciones, determinándose las ventajas relativas. Se midió la transmitancia del ZnSe con un espectrómetro infrarrojo de transmisión resultando comparable a la obtenida para sustratos comerciales utilizados como ventanas. La caracterización realizada permite afirmar que la calidad cristalina del material obtenido es la adecuada para su aplicación en ventanas ópticas.

Bibliographic Details

Main Authors:	Trigubó,A.B., Di Stefano,M.C., D'Elía,R., Cánepa,H., Heredia,E., Aguirre,M.H.
Format:	Digital revista
Language:	Spanish / Castilian
Published:	Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. 2007
Online Access:	http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1665-35212007000300005
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