Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa2Se

Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa2Se

En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa2Se4 en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón-fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.

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Bibliographic Details
Main Authors: Marquina,J, Power,Ch, Quintero,M, González,J
Format: Digital revista
Language:Spanish / Castilian
Published: Sociedad Mexicana de Física 2006
Online Access:http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2006000900057
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spelling oai:scielo:S0035-001X20060009000572010-05-24Efectos anarmónicos en el semiconductor MnGa2SeMarquina,JPower,ChQuintero,MGonzález,J Semiconductores anarmonicidad temperatura dispersión inelástica de la radiación En este trabajo presentamos la variación en temperatura de los fonones activos en Raman en monocristales de MnGa2Se4 en el rango de 4 a 700 K. Nuestros resultados muestran que esta variación queda completamente descrita si tomamos en cuenta la interacción fonón-fonón y la contribución debida a la dilatación térmica. La contribución predominante en el potencial anarmónico es la cúbica (procesos a tres fonones), la contribución cuártica (procesos a cuatro fonones) es prácticamente despreciable.info:eu-repo/semantics/openAccessSociedad Mexicana de FísicaRevista mexicana de física v.52 suppl.3 20062006-05-01info:eu-repo/semantics/articletext/htmlhttp://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2006000900057es
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