Producción de películas delgadas de CdSx Te1-x con estructura cúbica para 0 ≤ x ≤ 1
El sistema CdS/CdTe posee un gran potencial en la producción de sistemas fotovoltaicos de alta eficiencia, dado que aún se está muy lejos de alcanzar la eficiencia de 30 %, predicha teóricamente. Una de las limitaciones para aumentar la eficiencia de esta heteroestructura es la diferencia en estructura cristalográfica del CdTe y CdS, cubica y hexagonal, respectivamente. Adicionalmente, la presencia de una región con composición gradual en la interfaz CdS/CdTe limita la uniformidad del campo eléctrico interfacial necesario para tener una separación de carga eficiente. Para tener un mejor conocimiento de la aleación CdSTe y eventualmente aportar resultados para incrementar la eficiencia actual hemos crecido películas delgadas de CdSxTe1-x sobre substratos de vidrio utilizando la técnica de transporte de vapor en espacio reducido combinada con evaporación libre (CSVT-FE, por sus siglas en inglés) usando la coevaporación de CdTe y CdS. La incorporación del S fue controlada por medio de la temperatura de la fuente de CdS. Las muestras fueron caracterizadas utilizando difracción de rayos X, espectroscopias de análisis de la dispersión de energía de los rayos X y de transmisión (óptica. Se encontró que las muestras tienen una estructura cúbica, para 0 ≤ x ≤ 1, con el parámetro de red siguiendo la aproximación de cristal virtual. El ancho de banda prohibida tiene un comportamiento cuadrático con el contenido de azufre, similar al reportado en la literatura. El comportamiento del ancho de la banda prohibida no fue afectado por la estructura cubica de las películas CdSxTe1-x.
| Main Authors: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Digital revista |
| Language: | Spanish / Castilian |
| Published: |
Sociedad Mexicana de Física
2005
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| Online Access: | http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2005000200003 |
| Tags: |
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| Summary: | El sistema CdS/CdTe posee un gran potencial en la producción de sistemas fotovoltaicos de alta eficiencia, dado que aún se está muy lejos de alcanzar la eficiencia de 30 %, predicha teóricamente. Una de las limitaciones para aumentar la eficiencia de esta heteroestructura es la diferencia en estructura cristalográfica del CdTe y CdS, cubica y hexagonal, respectivamente. Adicionalmente, la presencia de una región con composición gradual en la interfaz CdS/CdTe limita la uniformidad del campo eléctrico interfacial necesario para tener una separación de carga eficiente. Para tener un mejor conocimiento de la aleación CdSTe y eventualmente aportar resultados para incrementar la eficiencia actual hemos crecido películas delgadas de CdSxTe1-x sobre substratos de vidrio utilizando la técnica de transporte de vapor en espacio reducido combinada con evaporación libre (CSVT-FE, por sus siglas en inglés) usando la coevaporación de CdTe y CdS. La incorporación del S fue controlada por medio de la temperatura de la fuente de CdS. Las muestras fueron caracterizadas utilizando difracción de rayos X, espectroscopias de análisis de la dispersión de energía de los rayos X y de transmisión (óptica. Se encontró que las muestras tienen una estructura cúbica, para 0 ≤ x ≤ 1, con el parámetro de red siguiendo la aproximación de cristal virtual. El ancho de banda prohibida tiene un comportamiento cuadrático con el contenido de azufre, similar al reportado en la literatura. El comportamiento del ancho de la banda prohibida no fue afectado por la estructura cubica de las películas CdSxTe1-x. |
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