Fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares: nuevo punto de vista

Presentamos un nuevo método para calcular la fuerza termoelectromotriz en semiconductores bipolares dentro de la aproximación lineal a la teoría, tomando en cuenta los portadores de carga fuera del equilibrio generados en la muestra tras aplicar un campo de temperatura. Por primera vez se define con precisión cuáles son los portadores de carga fuera del equilibrio y cómo debe escribirse la ecuación de Poisson para tomarlos en cuenta. También por primera vez se tomó en cuenta el término proporcional al cambio de temperatura local producido por el gradiente de temperatura aplicado en la expresión para la recombinación volumétrica para calcular la fuerza termoelectromotriz, dando por resultado que ésta y la resistencia del semiconductor dependen no sólo de los parámetros tradicionales como las conductividades eléctricas y potencias termoeléctricas de electrones y huecos, sino también de las tasas de recombinación volumétrica y superficial.

Bibliographic Details

Main Authors:	Gurevich,Yu., Ortiz,A
Format:	Digital revista
Language:	Spanish / Castilian
Published:	Sociedad Mexicana de Física 2003
Online Access:	http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2003000200003
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