Integrierte MOS-Schaltungen [electronic resource] /

1 Einleitung -- Literatur zu 1 -- 2 MOS-Bauelemente -- 2.1 Arten von MOS-Transistoren -- 2.2 MOS-Kondensator -- 2.3 Kapazität des MOS-Kondensators -- 2.4 Kennlinien des MOS-Transistors -- 2.5 Verfeinerte Theorie -- 2.6 Dynamisches Verhalten -- 2.7 Ladungsverschiebeelemente (CCD) -- 2.8 Transistoren mit veränderlicher Schwellenspannung -- 2.9 Rauschen des MOS-Transistors -- 2.10 Temperaturverhalten des MOS-Transistors -- Literatur zu 2 -- 3 MOS-Techniken -- 3.1 Aluminium-Gate-Technik mit p-Kanal -- 3.2 Silizium-Gate-Technik mit n-Kanal -- 3.3 Komplementäre Techniken -- 3.4 Ionenimplantation -- 3.5 DMOS- und VMOS-Technik -- 3.6 Herstellung der Masken -- 3.7 Feine Strukturen -- Literatur zu 3 -- 4 MOS-Grundschaltungen -- 4. 1 Der Inverter in statischer Technik -- 4.2 Der Inverter in dynamischer Technik -- 4.3 Bistabile MOS-Schaltungen -- 4.4 MOS-Logik in statischer Technik -- 4.5 MOS-Logik in dynamischer Technik -- 4.6 MOS-Schieberegister -- 4.7 Speicherschaltungen -- 4.8 MOS-Analogschaltungen -- Literatur zu 4 -- 5 Entwurfstechnik für integrierte MOS-Schaltungen -- 5.1 Rechnerunterstützte Analyseverfahren und -programme -- 5.2 Entwurfsunterlagen -- 5.3 Geometrischer Entwurf (Layout) -- 5.4 Datenaufnahme -- Literatur zu 5 -- 6 Schaltungsarten -- 6.1 Festverdrahtete Schaltungen -- 6.2 Programmierbare Schaltungen -- 6.3 Programmgesteuerte Schaltungen -- 6.4 Entwicklungsablauf bei den verschiedenen Schaltungsarten -- 6.5 Die Bedeutung der Software -- 6.6 Abgrenzung der Lösungswege -- 6.7 Entwicklungstrends -- 6.8 Ausbeute und Redundanz -- 6.9 Prüffreundlicher Entwurf -- 6.10 Analyse integrierter Schaltkreise mit dem Elektronenstrahl -- Literatur zu 6 -- 7 Ausblick -- Literatur zu 7.