Teoría y práctica de dispositivos de efecto de campo químicamente sensibles
Se describe la fabricación y caracterización de capacitores MOS selectivamente sensibles a H2 y NO2, por deposición PVD de compuertas de Pd y Mo, para el primer caso, y Au, para el segundo, sobre Si(100) tipo p, térmicamente oxidado a 130 nm, operados a 150°C, en atmósfera controlada. Las medidas de capacitancia, así como de fotocorriente inducida por luz pulsada, como función de tensión de polarización, admiten interpretación en términos de un circuito equivalente único, si se reemplaza la capacitancia de los estados superficiales por una impedancia distribuída, para modelar la fotocorriente sobre el borde de las compuertas. La interacción analito - compuerta debe generar especies de carga positiva, en H2/Pd, y negativa, en NO2/Au, que induzcan cargas opuestas en la interfaz Si/SiO2, modificando la carga en el semiconductor por refuerzo de la capa de inversión en el canal, por encima de la tensión de encendido, para inducir desplazamientos de señal con tensión de polarización, negativos para estímulos dadores como H2 y positivos para aceptores como NO2. Por debajo de la tensión de encendido, se observa inversión de estas respuestas, por cambios en la población de estados de interfaz.
| Main Author: | |
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| Format: | info:eu-repo/semantics/doctoralThesis biblioteca |
| Language: | spa |
| Published: |
Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales
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| Subjects: | CMOS, SENSIBILIDAD QUIMICA, ESTADOS DE INTERFAZ, CHEMICAL SENSITIVITY, INTERFACE STATES, |
| Online Access: | https://hdl.handle.net/20.500.12110/tesis_n3977_Lombardi http://repositoriouba.sisbi.uba.ar/gsdl/cgi-bin/library.cgi?a=d&c=aextesis&d=tesis_n3977_Lombardi_oai |
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